型號: | SI4884DY |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 0.01 ohm, Si, POWER, FET |
封裝: | SO-8 |
文件頁數(shù): | 6/12頁 |
文件大?。?/td> | 89K |
代理商: | SI4884DY |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SI5311-H | IRED |
SI5311-H(B) | IRED |
SI5411-H | IRED |
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SI5314-H(B) | Piccolo Series Clear Cover Enclosure; NEMA Type:1, 4X, 6, 12, 13; Enclosure Material:Plastic; External Height:2.6"; External Width:3.1"; External Depth:4.3"; Enclosure Color:Light Gray; Cover Color:Transparent RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI4884DY | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
SI4884DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4884DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4884DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI4884DY-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |