參數(shù)資料
型號： SI4884DY
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
中文描述： 0.01 ohm, Si, POWER, FET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： SI4884DY
Philips Semiconductors
SI4884
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 12 April 2002
10 of 12
9397 750 09582
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
7.
Revision history
Table 5:
Rev Date
02
Revision history
CPCN
20020412
Description
Product data; version 02. Supersedes data of 15 March 2002.
Figure 3 t
p
label error corrected.
Product data; initial version
-
01
20020315
-
相關PDF資料
PDF描述
SI5311-H IRED
SI5311-H(B) IRED
SI5411-H IRED
SI5411-H(B) IRED
SI5314-H(B) Piccolo Series Clear Cover Enclosure; NEMA Type:1, 4X, 6, 12, 13; Enclosure Material:Plastic; External Height:2.6"; External Width:3.1"; External Depth:4.3"; Enclosure Color:Light Gray; Cover Color:Transparent RoHS Compliant: Yes
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI4884DY 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
SI4884DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4884DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4884DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4884DY-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
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