參數(shù)資料
型號(hào)： SI4884DY
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
中文描述： 0.01 ohm, Si, POWER, FET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
文件大?。?/td> 89K
代理商： SI4884DY
Philips Semiconductors
SI4884
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 02 — 12 April 2002
4 of 12
9397 750 09582
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
4.
Thermal characteristics
4.1 Transient thermal impedance
Table 3:
Symbol Parameter
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient mounted on a printed circuit board;
Thermal characteristics
Conditions
Min
-
Typ
60
Max
-
Unit
K/W
t
p
≤
10 s; minimum footprint;
Figure 4
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration.
102
Zth(j-a)
(K/W)
10
1
102
10
1
10-1
10-2
10-3
10-4
tp (s)
single pulse
0.02
0.05
δ
= 0.5
0.2
0.1
003aaa161
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SI4884DY-T1 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4884DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.95W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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