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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128P11FFIR12 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 128M X 1 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 47/77頁 |
| 文件大小： | 2121K |
| 代理商： | S29GL128P11FFIR12 |
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November 8, 2007 S29GL-P_00_A7
S29GL-P MirrorBit
Flash Family
47
D a t a
S h e e t
( P r e l i m i n a r y )
Figure 8.3
Lock Register Program Algorithm
Write Unlock Cycle
s
:
Addre
ss
555h, D
a
t
a
AAh
Addre
ss
2AAh, D
a
t
a
55h
Write
Enter Lock Regi
s
ter Comm
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nd:
Addre
ss
555h, D
a
t
a
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Progr
a
m Lock Regi
s
ter D
a
t
a
Addre
ss
XXXh, D
a
t
a
A0h
Addre
ss
XXXh
*
, D
a
t
a
PD
Unlock Cycle 1
Unlock Cycle 2
XXXh = Addre
ss
don
’
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re
Progr
a
m D
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(PD):
S
ee text for Lock Regi
s
ter definition
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C
au
tion:
Lock regi
s
ter c
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n only
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e prog
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mmed once.
PA
SS
. Write Lock Regi
s
ter
Exit Comm
a
nd:
Addre
ss
XXXh, D
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t
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90h
Addre
ss
XXXh, D
a
t
a
00h
Device ret
u
rn
s
to re
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ding
a
rr
a
y.
Perform Polling Algorithm
(
s
ee Write Oper
a
tion
S
t
a
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flowch
a
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Ye
s
Ye
s
No
No
Done
DQ5 = 1
Error condition (Exceeded Timing Limit
s
)
FAIL. Write re
s
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nd
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u
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y.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| S29GL128P11TAI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P11TAIR10 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
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參數(shù)描述 |
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