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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RD28F6408W30B85 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA80 |
| 封裝： | 14 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, STACK, CSP-80 |
| 文件頁數(shù)： | 59/82頁 |
| 文件大?。?/td> | 749K |
| 代理商： | RD28F6408W30B85 |
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28F6408W30, 28F3204W30, 28F320W30, 28F640W30
Preliminary
53
13.0
SRAM AC Characteristics
13.1
SRAM Read Operation
NOTE:
1. See
Figure 25,
“
AC Waveform: SRAM Read Operation
”
on page 54
.
2. Sampled, but not 100% tested.
3. At any given temperature and voltage condition, t
HZ
(Max) is less than t
LZ
(Max) for a given device and from
device-to-device interconnection.
4. Timings of t
and t
are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and
are not referenced to output voltage levels.
#
Sym
Parameter
1
Density
4/8 Mbit
Unit
S-V
CC
2.2 V
–
3.3 V
Speed
-70
-85
Note
Min
Max
Min
Max
R1
t
RC
Read Cycle Time
70
–
85
–
ns
R2
t
AA
Address to Output Delay
–
70
–
85
ns
R3
t
CO1,
t
CO2
S-CS
1
#, S-CS
2
to Output Delay
–
70
–
85
ns
R4
t
OE
S-OE# to Output Delay
–
35
–
40
ns
R5
t
BA
S-UB#, S-LB# to Output Delay
–
70
–
85
ns
R6
t
LZ1
,
t
LZ2
S-CS
1
#, S-CS
2
to Output in Low-Z
2, 3
5
–
5
–
ns
R7
t
OLZ
S-OE# to Output in Low-Z
2
0
–
0
–
ns
R8
t
HZ1
,
t
HZ2
S-CS
1
#, S-CS
2
to Output in High-Z
2, 3, 4
0
25
0
30
ns
R9
t
OHZ
S-OE# to Output in High-Z
2, 4
0
25
0
30
ns
R10
t
OH
Output Hold from Address, S-CS
#,
S-CS
2
, or S-OE# Change, Whichever Occurs First
0
–
0
–
ns
R11
t
BLZ
S-UB#, S-LB# to Output in Low-Z
2
0
–
0
–
ns
R12
t
BHZ
S-UB#, S-LB# to Output in High-Z
2
0
25
0
30
ns
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PDF描述 |
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