參數(shù)資料
型號(hào)： NE650R479A-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
中文描述： 0.4冊(cè)，S波段功率GaAs場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： NE650R479A-T1
Preliminary Data Sheet
5
NE650R479A
79A Package Dimensions (Unit: mm)
Source
Source
Gate
Gate
Drain
Drain
0.4
±
0.15
5.7 max.
5
0
±
0
0
±
0
4
4.2 max.
0
±
0
0
±
0
Bottom View
3.6
±
0.2
1.5
±
0.2
1
1
0.8 max.
79A Package Recommended P.C.B. Layout (Unit: mm)
Drain
Gate
Source
0.5
0.5
0
1
5
6.1
through hole 0.2
×
33
1
4.0
1.7
Stop up the hole with a rosin
or something to avoid solder
flow.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE650R479A 0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
NE6510379A-T1 3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE6510379A 3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE651R479A 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE651R479A-T1 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NE6510179A-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW19 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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