參數(shù)資料
型號： NE650R479A-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
中文描述： 0.4冊，S波段功率GaAs場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： NE650R479A-T1
Preliminary Data Sheet
3
NE650R479A
NE650R479A S-PARAMETERS TEST CONDITIONS: V
DS
= 6.0 V, I
Dset
= 100 mA (Preliminary Data)
S
11
S
21
S
12
S
22
freq. (MHz)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
2600
2700
2800
2900
3000
0.850
0.849
0.840
0.837
0.833
0.826
0.817
0.817
0.808
0.810
0.810
0.805
0.806
0.806
0.809
0.816
0.817
–129.3
–134.0
–137.0
–141.4
–145.9
–150.0
–153.3
–157.9
–161.5
–167.1
–171.9
–176.6
179.1
175.8
172.0
167.8
164.2
5.286
5.066
4.837
4.634
4.519
4.404
4.159
4.073
3.926
3.795
3.687
3.545
3.306
3.216
3.129
3.023
2.956
120.2
119.1
118.4
116.8
115.0
114.3
112.7
111.3
109.9
108.1
105.3
104.0
102.6
102.0
101.9
101.4
101.3
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0.063
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0.067
0.068
0.068
0.067
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0.066
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0.069
0.067
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0.065
0.063
42.6
41.6
41.5
41.5
40.9
39.4
37.8
37.4
37.9
38.8
39.1
38.3
36.5
35.7
35.8
36.3
35.9
0.293
0.294
0.294
0.299
0.298
0.296
0.299
0.296
0.294
0.290
0.289
0.286
0.285
0.285
0.286
0.291
0.298
–132.5
–136.0
–138.1
–140.6
–143.4
–146.1
–149.2
–152.8
–155.6
–160.2
–164.1
–168.7
–171.9
–175.5
–179.3
176.6
172.4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE650R479A 0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
NE6510379A-T1 3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE6510379A 3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE651R479A 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE651R479A-T1 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
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NE6510179A-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE6510179A-EVPW19 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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