參數(shù)資料
型號(hào)： NE650R279A-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
中文描述： 0.2冊(cè)，S波段功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 77K
代理商： NE650R279A-T1
Preliminary Data Sheet
7
NE650R279A
[MEMO]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE650R279A 0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
NE650R479A-T1 0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
NE650R479A 0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
NE6510379A-T1 3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE6510379A 3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE650R479A 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
NE650R479A-T1 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
NE650R479A-T1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MESFET 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 15V 0.6A 4-Pin Case 79A T/R
NE6510179 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET
NE6510179A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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