參數(shù)資料
型號： NE650R279A-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
中文描述： 0.2冊，S波段功率GaAs場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 77K
代理商： NE650R279A-T1
Preliminary Data Sheet
4
NE650R279A
APPLICATION CIRCUIT EXAMPLE (Unit: mm)
Tantalum Condenser
100 F
Tantalum Condenser
47 F
Rg
1000 p
VGS
VDS
/4 OPEN STUB
λ
/4 OPEN STUB
λ
INPUT
OUTPUT
2
C1
50
LINE
/4 LINE
λ
C2
10
GND
Substrate: Teflon glass ( r = 2.6)
t = 0.8 mm
f = 1.9 GH
Z
VDS = 6 V
I
Dset
= 50 mA (RF OFF)
C1 = 30 pF
C2 = 30 pF
R1 = 5.1
Rg = 30
5
4
3
21
1
3 2
4
5
4
3
2
R1
9
4
4
7.5
8
7
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE650R279A 0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
NE650R479A-T1 0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
NE650R479A 0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
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NE6510379A 3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
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參數(shù)描述
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