型號: | NE5517DR2 |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 運算放大器 |
英文描述: | Dual Operational Transconductance Amplifier |
中文描述: | DUAL OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDSO16 |
封裝: | SOIC-16 |
文件頁數(shù): | 9/14頁 |
文件大?。?/td> | 194K |
代理商: | NE5517DR2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NE5517DR2G | 功能描述:跨導放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
NE5517D-T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier |
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NE5520279A | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |