型號(hào): | NE5517NG |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類(lèi): | 運(yùn)算放大器 |
英文描述: | Dual Operational Transconductance Amplifier |
中文描述: | DUAL OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP16 |
封裝: | LEAD FREE, PLASTIC, DIP-16 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/14頁(yè) |
文件大?。?/td> | 194K |
代理商: | NE5517NG |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NE5517ANG | Dual Operational Transconductance Amplifier |
NE5532AD8G | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
NE5532AD8R2 | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
NE5532AD8R2G | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
NE5532ANG | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NE5520279A | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
NE5520279A-A | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
NE5520279A-EVPW04 | 功能描述:射頻開(kāi)發(fā)工具 Silicon Medium Pwr LDMOS RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 產(chǎn)品:Wireless Modules 類(lèi)型:Wireless Audio 工具用于評(píng)估:WYSAAVDX7 頻率: 工作電源電壓:3.4 V to 5.5 V |
NE5520279A-EVPW09 | 功能描述:射頻開(kāi)發(fā)工具 For NE5520279A-A Power at 900 MHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 產(chǎn)品:Wireless Modules 類(lèi)型:Wireless Audio 工具用于評(píng)估:WYSAAVDX7 頻率: 工作電源電壓:3.4 V to 5.5 V |
NE5520279A-EVPW24 | 功能描述:射頻開(kāi)發(fā)工具 For NE5520279A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 產(chǎn)品:Wireless Modules 類(lèi)型:Wireless Audio 工具用于評(píng)估:WYSAAVDX7 頻率: 工作電源電壓:3.4 V to 5.5 V |