參數(shù)資料
型號(hào)： NE5517DR2
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 運(yùn)算放大器
英文描述： Dual Operational Transconductance Amplifier
中文描述： DUAL OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDSO16
封裝： SOIC-16
文件頁(yè)數(shù)： 11/14頁(yè)
文件大小： 194K
代理商： NE5517DR2
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
11
fO
RAgM
g(R
RA) 2 C
NOTE:
V
CC
4
3
+
NE5517/A
8
V
OUT
V
CC
INT
11
+V
CC
5
I
ABC
2
R
7
C
INT
+V
CC
V
C
R
A
1
150pF
6
V
IN
Figure 28. Voltage-Controlled Low-Pass Filter
30k
100k
200
200
100k
10k
fO
RAgM
g(R
RA) 2 C
NOTE:
V
CC
4
3
+
NE5517/A
8
V
OUT
V
CC
INT
11
+V
CC
5
I
ABC
2
R
7
C
INT
+V
CC
V
C
R
A
1k
1
6
V
NULL
+V
CC
-V
CC
0.005 F
Figure 29. Voltage-Controlled High-Pass Filter
30k
100k
1k
100k
10k
NOTE:
fO
RAgM
RA) 2 C
(R
+V
CC
+
NE5517/A
V
OUT
V
CC
INT
+V
CC
INT
V
C
R
A
100
k
200pF
+
NE5517/A
+V
CC
R
A
200
R
C
V
CC
100pF
-V
CC
V
IN
R
A
200
Figure 30. Butterworth Filter 2nd Order
100k
200
100k
10k
200
15k
10k
C
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE5517NG Dual Operational Transconductance Amplifier
NE5517ANG Dual Operational Transconductance Amplifier
NE5532AD8G Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier
NE5532AD8R2 Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier
NE5532AD8R2G Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE5517DR2G 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
NE5517D-T 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier
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NE5520279A 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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