- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361112 > NE5517DG (ON SEMICONDUCTOR) Dual Operational Transconductance Amplifier PDF資料下載
參數資料
| 型號： | NE5517DG |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 運算放大器 |
| 英文描述： | Dual Operational Transconductance Amplifier |
| 中文描述： | DUAL OP-AMP, 5000 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDSO16 |
| 封裝： | LEAD FREE, SOIC-16 |
| 文件頁數： | 6/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 194K |
| 代理商： | NE5517DG |
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
6
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
(continued)
1
20
0
-20
-40
-60
-80
-100
O
0.1 A 1 A
I
ABC
AMPLIFIER BIAS CURRENT ( A)
10 A
100 A
1000 A
VS =
±
15V
R
L
= 10k
OUTPUT NOISE
20kHz BW
V
IN
= 40mV
P-P
V
IN
= 80mV
P-P
V
S
=
±
15V
T
amb
= +25
°
C
C
IN
C
OUT
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1 A
1 A
10 A
100 A
1000 A
C
AMPLIFIER BIAS CURRENT (I
ABC
)
0.1 A
1 A
10 A
100 A
1000 A
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
A
AMPLIFIER BIAS CURRENT (I
ABC
)
-55
°
C
+25
°
C
+125
°
C
O
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
DIFFERENTIAL INPUT VOLTAGE (mV
P-P
)
600
500
400
300
200
100
0
10
100
1k
10k
100k
O
FREQUENCY (Hz)
I
ABC
= 1mA
I
ABC
= 100 A
Figure 12. Amplifier Bias Voltage vs.
Amplifier Bias Current
Figure 13. Input and Output
Capacitance
Figure 14. Distortion vs. Differential
Input Voltage
Figure 15. Voltage vs. Amplifier Bias Current
Figure 16. Noise vs. Frequency
I
ABC
= 1mA
R
L
= 10k
Figure 17. Leakage Current Test Circuit
Figure 18. Differential Input Current Test Circuit
Figure 19. Buffer V
BE
Test Circuit
4, 13
2, 15
3, 14
+
NE5517
11
6
1, 15
5, 12
7, 10
8, 9
A
+36V
4, 13
2, 15
3, 14
+
NE5517
11
6
1, 10
5, 12
A
+15V
15V
4V
V
V+
50k
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE5517DR2 | Dual Operational Transconductance Amplifier |
| NE5517NG | Dual Operational Transconductance Amplifier |
| NE5517ANG | Dual Operational Transconductance Amplifier |
| NE5532AD8G | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
| NE5532AD8R2 | Internally Compensated Dual Low Noise Operational Amplifier |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NE5517DR2 | 功能描述:跨導放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
| NE5517DR2G | 功能描述:跨導放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
| NE5517D-T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier |
| NE5517N | 功能描述:跨導放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
| NE5517NG | 功能描述:跨導放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。