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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND01GW4A2BV1E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁(yè)面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 52/57頁(yè) |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | NAND01GW4A2BV1E |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
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Figure 42. TFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline
Note: Drawing is not to scale
Table 27. TFBGA63 9x11mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
millimeters
Symbol
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.20
0.047
A1
0.25
0.010
A2
0.80
0.031
b
0.45
0.40
0.50
0.018
0.016
0.020
D
9.00
8.90
9.10
0.354
0.350
0.358
D1
4.00
0.157
D2
7.20
0.283
ddd
0.10
0.004
E
11.00
10.90
11.10
0.433
0.429
0.437
E1
5.60
0.220
E2
8.80
0.346
e
0.80
–
–
0.031
–
–
FD
2.50
0.098
FD1
0.90
0.035
FE
2.70
0.106
FE1
1.10
0.043
SD
0.40
–
–
0.016
–
–
SE
0.40
–
–
0.016
–
–
E
D
e
b
SD
SE
A2
A1
A
BGA-Z53
ddd
FD1
D2
E2
e
FE
BALL "A1"
FE1
e
E1
D1
FD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| NAND01GW4A2BV1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GW4A2BV6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GW4A2BV6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GW4A2BV6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
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