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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND01GW4A2BV1E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁(yè)面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 39/57頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 410K |
| 代理商： | NAND01GW4A2BV1E |
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39/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 23. Command Latch AC Waveforms
Figure 24. Address Latch AC Waveforms
Note: Address cycle 4 is only required for 512Mb and 1Gb devices.
ai08028
CL
E
W
AL
I/O
tCLHWL
(CL Setup time)
tELWL
(E Setup time)
tWHCLL
(CL Hold time)
tWHEH
(E Hold time)
tWLWH
tALLWL
(ALSetup time)
tWHALH
(AL Hold time)
Command
tDVWH
tWHDX
(Data Hold time)
(Data Setup time)
ai08029
CL
E
W
AL
I/O
tWLWH
(E Setup time)
tWLWL
(CL Setup time)
tWHWL
tALHWL
(AL Setup time)
(Data Setup time)
tWLWL
tWLWL
tWLWH
tWLWH
tWLWH
tWHWL
tWHWL
(Data Hold time)
(AL Hold time)
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tWHALL
cycle 1
tWHALL
Adrress
cycle 4
cycle 3
Adrress
cycle 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND128R3A2BV1E | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| NAND01GW4A2BV6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND01GW4A2BV6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
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