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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M59MR032C120ZC6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，復(fù)用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 36/49頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 352K |
| 代理商： | M59MR032C120ZC6T |
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M59MR032C, M59MR032D
Figure 15. Data Polling ADQ7 AC Waveforms (when Configuration Register bit CR15 = 1)
AI90123
E
G
W
ADQ7
IGNORE
VALID
ADQ0-ADQ6/
ADQ8-ADQ15
tGLQV
tWHQ7V
VALID
tQ7VQV
DQ7
DATA
POLLING
READ
CYCLE
DATA
PHASE
OF
LAST
WRITE
CYCLE
OF
PROGRAM
OR
ERASE
INSTRUCTION
tELQV
tEHQ7V
No
te
:
L
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H
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59MR032D120ZC6T | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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| M50FW080NB1 | CAP OXI NIOB 10UF 10V 20% SMD |
| M50FW080NB1G | 8 Mbit 1Mb x8, Uniform Block 3V Supply Firmware Hub Flash Memory |
| M50FW080NB1T | CAPACITOR, CASE A, 6.8UF, 10V; Application:Solid; Capacitance:6.8uF; Tolerance, capacitance:20%; Series:NOJ; Voltage, rating:10V; Capacitor dielectric type:Niobium Oxide; Case style:A; Depth, external:1.6mm; Length / Height, RoHS Compliant: Yes |
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參數(shù)描述 |
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