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參數(shù)資料
| 型號： | M59MR032C120ZC6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，復(fù)用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 12/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 352K |
| 代理商： | M59MR032C120ZC6T |
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M59MR032C, M59MR032D
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Figure 2. LFBGA Connections (Top view through package)
AI90110
VDDQ
ADQ10
ADQ11
ADQ4
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VSS
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59MR032D120ZC6T | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400C-ZBU | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M50FW080NB1 | CAP OXI NIOB 10UF 10V 20% SMD |
| M50FW080NB1G | 8 Mbit 1Mb x8, Uniform Block 3V Supply Firmware Hub Flash Memory |
| M50FW080NB1T | CAPACITOR, CASE A, 6.8UF, 10V; Application:Solid; Capacitance:6.8uF; Tolerance, capacitance:20%; Series:NOJ; Voltage, rating:10V; Capacitor dielectric type:Niobium Oxide; Case style:A; Depth, external:1.6mm; Length / Height, RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59MR032CGC | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032CZC | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D100GC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D100ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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