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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M59MR032C120ZC6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，復(fù)用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 31/49頁 |
| 文件大小： | 352K |
| 代理商： | M59MR032C120ZC6T |
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M59MR032C, M59MR032D
Table 32. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
(TA = –40 to 85 °C; VDD = VDDQ = 1.65V to 2.0V)
Symbol
Alt
Parameter
M59MR032
Unit
100
120
Min
Max
Min
Max
tAVAV
tWC
Address Valid to Next Address Valid
100
120
ns
tAVLH
Address Valid to Latch Enable High
10
ns
tDVEH
tDS
Input Valid to Chip Enable High
50
ns
tEHDX
tDH
Chip Enable High to Input Transition
0
ns
tEHEL
tCPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
30
ns
tEHWH
tWH
Chip Enable High to Write Enable High
0
ns
tELEH
tCP
Chip Enable Low to Chip Enable High
70
ns
tELLH
Chip Enable Low to Latch Enable High
10
ns
tGHLL
Output Enable High to Latch Enable Low
20
ns
tLHAX
Latch Enable High to Address Transition
10
ns
tLHEH
Latch Enable High to Chip Enable High
10
ns
tLLLH
Latch Enable Pulse Width
10
ns
tPLQ7V
RP Low to Reset Complete During
Program/Erase
15
s
tVDHWL
tVCS
VDD High to Write Enable Low
50
s
tVPPHEH
VPP High to Chip Enable High
200
ns
tEHVPPL
Chip Enable High to VPP Low
200
ns
tEHWPL
Chip Enable High to Write Protect Low
200
ns
tWLEL
tWS
Write Enable Low to Chip Enable Low
0
ns
tWPHEH
Write Protect High to Chip Enable High
200
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59MR032D120ZC6T | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400C-ZBU | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M50FW080NB1 | CAP OXI NIOB 10UF 10V 20% SMD |
| M50FW080NB1G | 8 Mbit 1Mb x8, Uniform Block 3V Supply Firmware Hub Flash Memory |
| M50FW080NB1T | CAPACITOR, CASE A, 6.8UF, 10V; Application:Solid; Capacitance:6.8uF; Tolerance, capacitance:20%; Series:NOJ; Voltage, rating:10V; Capacitor dielectric type:Niobium Oxide; Case style:A; Depth, external:1.6mm; Length / Height, RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59MR032CGC | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032CZC | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D100GC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D100ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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