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參數(shù)資料
| 型號： | M59MR032C100ZC6T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，復用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 33/49頁 |
| 文件大小： | 352K |
| 代理商： | M59MR032C100ZC6T |
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M59MR032C, M59MR032D
Figure 14. Read and Write AC Waveforms, RP Related
AI90122
ADQ7
W
RP
tPLPH
tPHQ7V1,2
VALID
READ
ADQ7
VALID
tPLQ7V
PROGRAM / ERASE
Table 33. Read and Write AC Characteristic, RP Related
(TA = –40 to 85°C; VDD = VDDQ = 1.65V to 2.0V)
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M59MR032
Unit
100
120
Min
Max
Min
Max
tPHQ7V1
RP High to Data Valid
(Read Mode)
150
ns
tPHQ7V2
RP High to Data Valid
(Power-down enabled)
50
s
tPLPH
tRP
RP Pulse Width
100
ns
tPLQ7V
RP Low to Reset Complete
During Program/Erase
15
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59MR032D100ZC6T | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032C120ZC6T | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D120ZC6T | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M28R400C-ZBU | 4 Mbit (256Kb x16, Boot Block) 1.8V Supply Flash Memory |
| M50FW080NB1 | CAP OXI NIOB 10UF 10V 20% SMD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59MR032C120GC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032C120ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032CGC | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032CZC | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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