- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄299434 > M485L1624FT0-LA2 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M485L1624FT0-LA2 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 |
| 封裝： | SODIMM-200 |
| 文件頁數(shù)： | 5/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 264K |
| 代理商： | M485L1624FT0-LA2 |
DDR SDRAM
128MB, 256MB SODIMM
Rev. 1.2 March 2004
Parameter
Symbol
B3
(DDR333@CL=2.5))
A2
(DDR266@CL=2.0)
B0
(DDR266@CL=2.5))
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Mode register set cycle time
tMRD
12
15
ns
DQ & DM setup time to DQS
tDS
0.45
0.5
ns
j, k
DQ & DM hold time to DQS
tDH
0.45
0.5
ns
j, k
Control & Address input pulse width
tIPW
2.2
ns
8
DQ & DM input pulse width
tDIPW
1.75
ns
8
Power down exit time
tPDEX
6
7.5
ns
Exit self refresh to non-Read command
tXSNR
75
ns
Exit self refresh to read command
tXSRD
200
tCK
Refresh interval time
tREFI
7.8
us
4
Output DQS valid window
tQH
tHP
-tQHS
-
tHP
-tQHS
-
tHP
-tQHS
-ns
11
Clock half period
tHP
tCLmin
or tCHmin
-
tCLmin
or tCHmin
-
tCLmin
or tCHmin
-
ns
10, 11
Data hold skew factor
tQHS
0.55
0.75
ns
11
DQS write postamble time
tWPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
2
Active to Read with Auto precharge
command
tRAP
18
20
Autoprecharge write recovery +
Precharge time
tDAL
(tWR/tCK)
+
(tRP/tCK)
(tWR/tCK)
+
(tRP/tCK)
(tWR/tCK)
+
(tRP/tCK)
tCK
13
System Characteristics for DDR SDRAM
The following specification parameters are required in systems using DDR333 & DDR266 devices to ensure proper sys-
tem performance. these characteristics are for system simulation purposes and are guaranteed by design.
Table 1 : Input Slew Rate for DQ, DQS, and DM
Table 2 : Input Setup & Hold Time Derating for Slew Rate
Table 3 : Input/Output Setup & Hold Time Derating for Slew Rate
AC CHARACTERISTICS
DDR333
DDR266
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
Units
Notes
DQ/DM/DQS input slew rate measured between
VIH(DC), VIL(DC) and VIL(DC), VIH(DC)
DCSLEW
TBD
V/ns
a, m
Input Slew Rate
tIS
tIH
Units
Notes
0.5 V/ns
0
ps
i
0.4 V/ns
+50
0
ps
i
0.3 V/ns
+100
0
ps
i
Input Slew Rate
tDS
tDH
Units
Notes
0.5 V/ns
0
ps
k
0.4 V/ns
+75
ps
k
0.3 V/ns
+150
ps
k
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M485L1624FT0-CB3 | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| M5-NP | UNSHIELDED, 0.056 uH - 0.12 uH, VARIABLE INDUCTOR, SMD |
| M504-7885022 | 50 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE PCMCIA CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M50FLW080AN5G | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
| M50FLW080BN5G | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M485L1624FU0-CA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M485L1624FU0-CB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M485L1624FU0-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M487X0003 | 功能描述:MOTOR BRUSHED DC ENC 174.64W 24V RoHS:是 類別:電機(jī)，螺線管 >> 電機(jī) - AC，DC 系列:M487X000X 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:OMNUC G 類型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"（176.00mm） 直徑 - 軸:1.38"（35.00mm） 長度 - 軸和支架:3.15"（80.00mm） 安裝孔間距:7.87"（200.00mm） 特點(diǎn):絕對式編碼器，鍵 端接類型:連接器 轉(zhuǎn)矩 - 運(yùn)行（oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉(zhuǎn)矩 - 啟動狀態(tài) (oz-in / mNm):- 轉(zhuǎn)矩 - 停滯狀態(tài) (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無 電壓范圍:- 功率（瓦特）:3kW 重量:55 磅（24.9kg） 其它名稱:R88MG3K010TS2 |
| M487X0004 | 功能描述:MOTOR BRUSH DC GEAR ENC 174.64W RoHS:是 類別:電機(jī)，螺線管 >> 電機(jī) - AC，DC 系列:M487X000X 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:OMNUC G 類型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"（176.00mm） 直徑 - 軸:1.38"（35.00mm） 長度 - 軸和支架:3.15"（80.00mm） 安裝孔間距:7.87"（200.00mm） 特點(diǎn):絕對式編碼器，鍵 端接類型:連接器 轉(zhuǎn)矩 - 運(yùn)行（oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉(zhuǎn)矩 - 啟動狀態(tài) (oz-in / mNm):- 轉(zhuǎn)矩 - 停滯狀態(tài) (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無 電壓范圍:- 功率（瓦特）:3kW 重量:55 磅（24.9kg） 其它名稱:R88MG3K010TS2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。