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參數(shù)資料
| 型號： | M485L1624FT0-LA2 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 |
| 封裝： | SODIMM-200 |
| 文件頁數(shù)： | 17/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 264K |
| 代理商： | M485L1624FT0-LA2 |
DDR SDRAM
128MB, 256MB SODIMM
Rev. 1.2 March 2004
256MB, 32M x 64 Non ECC Module (M470L3224FT0) (Populated as 2 bank of x16 DDR SDRAM Module)
CS1
CS0
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
D0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
LDQS
CS
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
VSS
D0 - D7
VDD/VDDQ
D0 - D7
VREF
VDDSPD
SPD
Clock Wiring
Clock
Input
SDRAMs
CK0/CK0
CK1/CK1
CK2/CK2
4 SDRAMs
NC
LDM
LDQS
LDM
DQS0
DM0
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
D4
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
UDQS
UDM
UDQS
UDM
DQS1
DM1
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
D2
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
LDQS
CS
LDM
LDQS
LDM
DQS4
DM4
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
D6
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
UDQS
UDM
UDQS
UDM
DQS5
DM5
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
D1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
LDQS
CS
LDM
LDQS
LDM
DQS2
DM2
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
D5
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
UDQS
UDM
UDQS
UDM
DQS3
DM3
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
D3
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
LDQS
CS
LDM
LDQS
LDM
DQS6
DM6
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
D7
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
UDQS
UDM
UDQS
UDM
DQS7
DM7
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
A0 - A12
A0-A12: DDR SDRAMs D0 - D7
BA0 - BA1
BA0-BA1: DDR SDRAMs D0 - D7
RAS
RAS: SDRAMs D0 - D7
CAS
CAS: SDRAMs D0 - D7
CKE0
CKE: SDRAMs D0 - D3
WE
WE: SDRAMs D0 - D7
CKE1
CKE: SDRAMs D4 - D7
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recom-
mended but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must
be maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms.
Functional Block Diagram
*Clock Net Wiring
Card
Edge
D0/D2/Cap
D1/D3/Cap
D4/D6/Cap
D5/D7/Cap
R=120
CK0/1/2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M485L1624FT0-CB3 | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| M5-NP | UNSHIELDED, 0.056 uH - 0.12 uH, VARIABLE INDUCTOR, SMD |
| M504-7885022 | 50 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE PCMCIA CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M50FLW080AN5G | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
| M50FLW080BN5G | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M485L1624FU0-CA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M485L1624FU0-CB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M485L1624FU0-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M487X0003 | 功能描述:MOTOR BRUSHED DC ENC 174.64W 24V RoHS:是 類別:電機，螺線管 >> 電機 - AC，DC 系列:M487X000X 標準包裝:1 系列:OMNUC G 類型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"（176.00mm） 直徑 - 軸:1.38"（35.00mm） 長度 - 軸和支架:3.15"（80.00mm） 安裝孔間距:7.87"（200.00mm） 特點:絕對式編碼器，鍵 端接類型:連接器 轉(zhuǎn)矩 - 運行（oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉(zhuǎn)矩 - 啟動狀態(tài) (oz-in / mNm):- 轉(zhuǎn)矩 - 停滯狀態(tài) (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無 電壓范圍:- 功率（瓦特）:3kW 重量:55 磅（24.9kg） 其它名稱:R88MG3K010TS2 |
| M487X0004 | 功能描述:MOTOR BRUSH DC GEAR ENC 174.64W RoHS:是 類別:電機，螺線管 >> 電機 - AC，DC 系列:M487X000X 標準包裝:1 系列:OMNUC G 類型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"（176.00mm） 直徑 - 軸:1.38"（35.00mm） 長度 - 軸和支架:3.15"（80.00mm） 安裝孔間距:7.87"（200.00mm） 特點:絕對式編碼器，鍵 端接類型:連接器 轉(zhuǎn)矩 - 運行（oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉(zhuǎn)矩 - 啟動狀態(tài) (oz-in / mNm):- 轉(zhuǎn)矩 - 停滯狀態(tài) (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無 電壓范圍:- 功率（瓦特）:3kW 重量:55 磅（24.9kg） 其它名稱:R88MG3K010TS2 |
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