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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M485L1624FT0-LA2 |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA200 |
| 封裝： | SODIMM-200 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 264K |
| 代理商： | M485L1624FT0-LA2 |
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DDR SDRAM
128MB, 256MB SODIMM
Rev. 1.2 March 2004
128MB, 16M x 72 ECC Module (M485L1624FT0) (Populated as 1 bank of x16 DDR SDRAM Module)
A0 - A12
A0-A12: DDR SDRAMs D0 - D4
BA0 - BA1
BA0-BA1: DDR SDRAMs D0 - D4
RAS
RAS: SDRAMs D0 - D4
CAS
CAS: SDRAMs D0 - D4
CKE0
CKE: SDRAMs D0 - D4
WE
WE: SDRAMs D0 - D4
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recom-
mended but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must
be maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms.
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
VSS
D0 - D4
VDD/VDDQ
D0 - D4
VREF
VDDSPD
SPD
Clock Wiring
Clock
Input
SDRAMs
CK0/CK0
CK1/CK1
CK2/CK2
2 SDRAMs
1 SDRAMs
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D0
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ8
DM0
CS
LDQS
DQS0
DM1
DQS1
UDQS
CS0
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D2
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ40
DM4
CS
LDQS
DQS4
DM5
DQS5
UDQS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D1
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ24
DM2
CS
LDQS
DQS2
DM3
DQS3
UDQS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D3
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ57
DQ58
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ56
DM6
CS
LDQS
DQS6
DM7
DQS7
UDQS
CK0/1/2
Card
Edge
D0/D2/D4
Cap/Cap/Cap
R=120
± 5%
D1/D3/Cap
CB0
CB1
CB2
CB3
DM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
D4
CB4
CB5
CB6
CB7
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DM8
CS
DQS
DQS8
UDQS
Functional Block Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M485L1624FT0-CB3 | 16M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| M5-NP | UNSHIELDED, 0.056 uH - 0.12 uH, VARIABLE INDUCTOR, SMD |
| M504-7885022 | 50 CONTACT(S), MALE, RIGHT ANGLE PCMCIA CONNECTOR, SURFACE MOUNT |
| M50FLW080AN5G | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
| M50FLW080BN5G | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 11 ns, PDSO40 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M485L1624FU0-CA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M485L1624FU0-CB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M485L1624FU0-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M487X0003 | 功能描述:MOTOR BRUSHED DC ENC 174.64W 24V RoHS:是 類(lèi)別:電機(jī)，螺線管 >> 電機(jī) - AC，DC 系列:M487X000X 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:OMNUC G 類(lèi)型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"（176.00mm） 直徑 - 軸:1.38"（35.00mm） 長(zhǎng)度 - 軸和支架:3.15"（80.00mm） 安裝孔間距:7.87"（200.00mm） 特點(diǎn):絕對(duì)式編碼器，鍵 端接類(lèi)型:連接器 轉(zhuǎn)矩 - 運(yùn)行（oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉(zhuǎn)矩 - 啟動(dòng)狀態(tài) (oz-in / mNm):- 轉(zhuǎn)矩 - 停滯狀態(tài) (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無(wú) 電壓范圍:- 功率（瓦特）:3kW 重量:55 磅（24.9kg） 其它名稱:R88MG3K010TS2 |
| M487X0004 | 功能描述:MOTOR BRUSH DC GEAR ENC 174.64W RoHS:是 類(lèi)別:電機(jī)，螺線管 >> 電機(jī) - AC，DC 系列:M487X000X 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:OMNUC G 類(lèi)型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"（176.00mm） 直徑 - 軸:1.38"（35.00mm） 長(zhǎng)度 - 軸和支架:3.15"（80.00mm） 安裝孔間距:7.87"（200.00mm） 特點(diǎn):絕對(duì)式編碼器，鍵 端接類(lèi)型:連接器 轉(zhuǎn)矩 - 運(yùn)行（oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉(zhuǎn)矩 - 啟動(dòng)狀態(tài) (oz-in / mNm):- 轉(zhuǎn)矩 - 停滯狀態(tài) (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無(wú) 電壓范圍:- 功率（瓦特）:3kW 重量:55 磅（24.9kg） 其它名稱:R88MG3K010TS2 |
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