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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M2V64S3DTP-6 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 64M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 6400同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/51頁(yè) |
| 文件大小： | 430K |
| 代理商： | M2V64S3DTP-6 |
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Feb.'00
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.3.2)
64M Synchronous DRAM
M2V64S20DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L
M2V64S30DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L
M2V64S40DTP-6,-6L,-7,-7L,-8,-8L
(4-BANK x 4,194,304-WORD x 4-BIT)
(4-BANK x 2,097,152-WORD x 8-BIT)
(4-BANK x 1,048,576-WORD x 16-BIT)
10
Current State
/CS
/RAS /CAS /WE
Address
Command Action
FUNCTION TRUTH TABLE (continued)
PRE -
CHARGING
ROW
ACTIVATING
H
X
X
X
X
DESEL
NOP (Idle after tRP)
L
H
H
H
X
NOP
NOP (Idle after tRP)
L
H
H
L
X
TBST
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A10
READ &
WRITE
ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE &
PREA
NOP*4 (Idle after tRP)
L
L
L
H
X
REFA
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code,
Mode-Add
MRS
ILLEGAL
H
X
X
X
X
DESEL
NOP (Row Active after tRCD)
L
H
H
H
X
NOP
NOP (Row Active after tRCD)
L
H
H
L
X
TBST
ILLEGAL*2
L
H
L
X
BA, CA, A10
READ &
WRITE
ILLEGAL*2
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL*2
L
L
H
L
BA, A10
PRE &
PREA
ILLEGAL*2
L
L
L
H
X
REFA
ILLEGAL
L
L
L
L
Op-Code,
Mode-Add
MRS
ILLEGAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V64S3DTP-8 | 64M Synchronous DRAM |
| M2V64S4DTP-6 | 64M Synchronous DRAM |
| M2V64S4DTP-7 | 64M Synchronous DRAM |
| M2V64S4DTP-8 | 64M Synchronous DRAM |
| M30201M4-XXXFP | SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V64S3DTP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M Synchronous DRAM |
| M2V64S3DTP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M Synchronous DRAM |
| M2V64S40BTP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S40BTP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
| M2V64S40BTP-10L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M bit Synchronous DRAM |
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