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參數(shù)資料
| 型號： | KM416S4030B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16Bitx 4 Banks Synchronous DRAM(1M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 100萬x 16Bitx 4銀行同步DRAM（100萬× 16位x4組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 43/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | KM416S4030B |
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TIMING DIAGRAM - III
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 90 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
Mode Register Set Cycle
HIGH
MRS
Auto Refresh
: Don't care
*Note :
1. CS, RAS, CAS, & WE activation at the same clock cycle with address key will set internal mode register.
2. Minimum 2 clock cycles should be met before new RAS activation.
3. Please refer to Mode Register Set table.
New
Command
New Command
Hi-Z
Hi-Z
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
tRC
ó
ó
HIGH
MODE REGISTER SET CYCLE
* All banks precharge should be completed before Mode Register Set cycle and auto refresh cycle.
Auto Refresh Cycle
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Key
Ra
*Note 3
*Note 1
*Note 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S4031B | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface(1M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
| KM416S4031C | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface(1M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
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| KM416S8030B | 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM416S8030 | 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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