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參數(shù)資料
| 型號： | KM416S4030B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16Bitx 4 Banks Synchronous DRAM(1M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 100萬x 16Bitx 4銀行同步DRAM（100萬× 16位x4組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 37/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | KM416S4030B |
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TIMING DIAGRAM - III
CMOS SDRAM
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ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
Clock Suspension & DQM Operation Cycle @CAS Latency=2, Burst Length=4
Ra
Row Active
Clock
Suspension
Read
Write
DQM
: Don't care
Clock
Suspension
Read
*Note 1
tSHZ
tSHZ
Write
DQM
Write
Read DQM
*Note :
1. DQM is needed to prevent bus contention.
BA
0
BA
1
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
Ra
Ca
Cb
Cc
Dc2
Dc0
Qb1
Qb0
Qa3
Qa2
Qa1
Qa0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416S4031B | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface(1M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
| KM416S4031C | 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface(1M x 16位 x4組同步動態(tài)RAM（帶SSTL接口）) |
| KM416S8030BN | 128Mb SDRAM Shrink TSOP 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM416S8030B | 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
| KM416S8030 | 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM416S4030C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-F10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-F7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-F8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| KM416S4030CT-FH | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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