參數(shù)資料
型號(hào)： KM416S4030B
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 16Bitx 4 Banks Synchronous DRAM(1M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 100萬(wàn)x 16Bitx 4銀行同步DRAM（100萬(wàn)× 16位x4組同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 41/43頁(yè)
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代理商： KM416S4030B
TIMING DIAGRAM - III
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
ó
ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
Active/Precharge Power Down Mode @CAS Latency=2, Burst Length=4
Precharge
Power-down
Entry
: Don
t Care
*Note :
1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK + tss prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification. (64ms)
*Note 1
Precharge
tSS
*Note 2
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
10
/AP
tSS
tSS
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
Ra
ó
ó
Ca
ó
ó
Ra
ó
ó
Qa0
Qa1
Qa2
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
ó
Row Active
Precharge
Power-down
Exit
Active
Power-down
Entry
Active
Power-down
Exit
Read
tSHZ
*Note 3
ó
*Note 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM416S4031B 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface(1M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM（帶SSTL接口）)
KM416S4031C 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM with SSTL interface(1M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM（帶SSTL接口）)
KM416S8030BN 128Mb SDRAM Shrink TSOP 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM416S8030B 128Mbit SDRAM 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL
KM416S8030 2M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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