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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM416S4030B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16Bitx 4 Banks Synchronous DRAM(1M x 16位 x4組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 100萬(wàn)x 16Bitx 4銀行同步DRAM（100萬(wàn)× 16位x4組同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | KM416S4030B |
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TIMING DIAGRAM - III
CMOS SDRAM
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
ELECTRONICS
REV. 2 Mar. '98
Read & Write Cycle with Auto Precharge I @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
: Don't care
*Note:
¨
When Read(Write) command with auto precharge is issued at A-Bank after A and B Bank activation.
- if Read(Write) command without auto precharge is issued at B-Bank before A Bank auto precharge starts, A Bank
auto precharge will start at B Bank read command input point .
- any command can not be issued at A Bank during tRP after A Bank auto precharge starts.
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Pre
charge
(A-Bank)
Write with
Auto Precharge
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
BA
0
A
10
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
Ra
Rb
Ca
Ra
Rb
Ra
Cb
Qb2
Qb3
Read without Auto
precharge(B-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)*
¨
Precharge
(B-Bank)
Da0
Da1
Da0
Da1
Qb2
Qb3
Ca
Ra
BA
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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