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參數(shù)資料
| 型號： | K4E640411D-TC500 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
| 文件頁數(shù)： | 7/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 407K |
| 代理商： | K4E640411D-TC500 |
CMOS DRAM
K4E660411D, K4E640411D
Don
′t care
HYPER PAGE READ-MODIFY-WRITE CYCLE
Undefined
RAS
VIH -
VIL -
CAS
VIH -
VIL -
A
VIH -
VIL -
W
VIH -
VIL -
OE
VIH -
VIL -
VI/OH -
VI/OL -
ROW
ADDR
tCSH
tRASP
tRP
tASR
tRCD
tCP
tRAD
tCAH
tWP
tDH
COL.
ADDR
COL.
ADDR
tCAS
tCRP
tASC
tCAH
tRAL
tRCS
tCWL
tCWD
tAWD
tRWD
tWP
tCWD
tAWD
tCWL
tRAC
tOEA
tCLZ
tOEZ
tCPWD
tOED
tASC
tCLZ
tOEA
tCAC
tAA
tDH
tOED
tRWL
tCRP
tDS
tOEZ
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
tDS
DQ0 ~ DQ3(7)
tRSH
tOLZ
tHPRWC
tCAC
tAA
tRAH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4F640411C-TC500 | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO32 |
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| K4T56163QI-ZLD50 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| K5A3240YT | Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| K4E640412C-TL50 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUT |
| K4E640412C-TL60 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUT |
| K4E640412D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412D-TC50 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:DRAM Chip EDO 64M-Bit 16Mx4 3.3V 32-Pin TSOP-II |
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