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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4E640411D-TC500 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 407K |
| 代理商： | K4E640411D-TC500 |
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CMOS DRAM
K4E660411D, K4E640411D
RAS
VIH -
VIL -
CAS
VIH -
VIL -
A
VIH -
VIL -
W
VIH -
VIL -
OE
VIH -
VIL -
VOH -
VOL -
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
tRAS
tRC
tCRP
tRP
tCSH
tRSH
tRCD
tCAS
tRAL
tASR
tRAH
tASC
tCAH
tCRP
tAA
tOEA
tCLZ
tRAC
OPEN
tRCH
Don
′t care
Undefined
tRAD
tRRH
DATA-OUT
tREZ
tRCS
READ CYCLE
tOEZ
tCEZ
tWEZ
DQ0 ~ DQ3(7)
tOLZ
tCAC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4F640411C-TC500 | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| K4F640412C-JC450 | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 45 ns, PDSO32 |
| K4T1G044QC-ZCLE6 | 256M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| K4T56163QI-ZLD50 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| K5A3240YT | Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E640411D-TC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412C-TL50 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUT |
| K4E640412C-TL60 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUT |
| K4E640412D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412D-TC50 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:DRAM Chip EDO 64M-Bit 16Mx4 3.3V 32-Pin TSOP-II |
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