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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4E640411D-TC500 |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 4 EDO DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 407K |
| 代理商： | K4E640411D-TC500 |
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CMOS DRAM
K4E660411D, K4E640411D
OPEN
CAS - BEFORE - RAS SELF REFRESH CYCLE
NOTE : OE, A = Don
′t care
RAS
VIH -
VIL -
CAS
VIH -
VIL -
tRPS
tRASS
tRPC
tCP
tRPC
tCSR
tCEZ
VOH -
VOL -
DQ0 ~ DQ3(7)
tRP
Don
′t care
Undefined
tCHS
tWRP
tWRH
W
VIH -
VIL -
OPEN
TEST MODE IN CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′t care
RAS
VIH -
VIL -
CAS
VIH -
VIL -
tRP
tRC
tRPC
tCP
tRPC
tCSR
tOFF
VOH -
VOL -
DQ0 ~ DQ3(7)
tWTS
tWTH
W
VIH -
VIL -
tCHR
tRP
tRAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4F640411C-TC500 | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO32 |
| K4F640412C-JC450 | 16M X 4 FAST PAGE DRAM, 45 ns, PDSO32 |
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| K4T56163QI-ZLD50 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 0.5 ns, PBGA84 |
| K5A3240YT | Multi-Chip Package MEMORY 32M Bit (4Mx8/2Mx16) Dual Bank NOR Flash Memory / 4M(512Kx8/256Kx16) Full CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E640411D-TC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412C-TL50 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUT |
| K4E640412C-TL60 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:CMOS DYNAMIC RAM WITH EXTENDED DATA OUT |
| K4E640412D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412D-TC50 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:DRAM Chip EDO 64M-Bit 16Mx4 3.3V 32-Pin TSOP-II |
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