參數(shù)資料
型號(hào)： IXTA3N110
廠(chǎng)商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： High Voltage Power MOSFETs
中文描述： 3 A, 1100 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： PLASTIC, TO-263, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 102K
代理商： IXTA3N110
2001 IXYS All rights reserved
V
GS
- Volts
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
I
D
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T
C
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
R
D
1.0
1.3
1.6
1.9
2.2
2.5
2.8
I
D
=1.5A
I
D
- Amperes
0
1
2
3
4
5
R
D
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
2.50
V
DS
- Volts
0
3
6
9
12
15 18
21
24
27
30
I
D
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
DS
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
D
0
1
2
3
4
5
V
GS
= 10V
T
J
= 125
O
C
T
J
= 25
O
C
4V
4V
5V
T
J
= 25
o
C
I
D
= 3A
T
J
= 125
o
C
V
GS
= 9V
8V
7V
6V
T
J
= 125
O
C
5V
V
GS
= 9V
8V
7V
6V
T
J
= 25
O
C
V
GS
= 10V
IXT_3N110
IXT_3N120
IXTA/IXTP 3N120
IXTA/IXTP 3N110
Fig.1 Output Characteristics @ T
j
= 25°C
Fig. 2 Output Characteristics @ T
j
= 125°C
Fig. 3 R
DS(on)
vs. Drain Current
Fig. 4 Temperature Dependence of Drain
to Source Resistance
Fig. 5 Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 6 Drain Current vs Gate Source Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTA3N50P PolarHV Power MOSFET
IXTP3N50P PolarHV Power MOSFET
IXTY3N50P PolarHV Power MOSFET
IXTA3N60P R8C; R8C/2x Series; Microcontroller; Bit Size: 32/16-bit CISC; ROM: 96K; RAM: 5K; ROM Type: Flash memory; CPU: R8C core; Minimum Instruction Execution Time (ns): 50 (@20MHz); Operating Frequency / Supply Voltage: 20MHz/3.0 to 5.5V, 10MHz/2.7 to 5.5V; Operating Ambient Temperature (°C): -40 to 85; Package Code: PLQP0048KB-A (48P6Q-A)
IXTA50N20P PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IXTA3N120 功能描述:MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA3N120TRL 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IXTA3N50D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTA3N50P 功能描述:MOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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