參數(shù)資料
型號(hào)： IXGP12N60U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT with Diode Combi Pack
中文描述： 24 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： IXGP12N60U1
1996 IXYS All rights reserved
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15
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= 100°C
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= 8A
T
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R
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0.0
0.2
0.4
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1.2
1.4
Q
r
I
RM
di
F
/dt - A/μs
0
50
100
150
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250
300
V
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400
600
800
1000
t
fr
V
FR
Voltage Drop - Volts
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
T
J
= 100°C
T
J
= 125°C
I
F
= 8A
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
V
R
= 350V
I
F
= 8A
T
J
= 100°C
V
R
= 350V
I
F
= 8A
Fig.13 Junction Temperature Dependence
off I
RM
and Q
r
Fig.14
Reverse Recovery Charge
Fig.15 Peak Reverse Recovery Current
Fig.16
Reverse Recovery Time
Fig.11 Maximum Forward Voltage Drop
Fig.12
Peak Forward Voltage V
FR
and
Forward Recovery Time t
FR
IXGP12N60U1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IXSP15N120B S Series - Improved SCSOA Capability
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參數(shù)描述
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IXGP15N100C 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1000V 3.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP15N120C 功能描述:IGBT 30A 1200V TO-220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGP16N60B2 功能描述:IGBT 晶體管 16 Amps 600V 2.3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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