參數(shù)資料
型號(hào)： IXSP15N120B
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S Series - Improved SCSOA Capability
中文描述： 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 84K
代理商： IXSP15N120B
2002 IXYS All rights reserved
Symbol
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Typ.
Min.
Max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 250
μ
A, V
GE
= 0 V
= 250
μ
A, V
CE
= V
GE
1200
V
V
3
6
I
CES
V
CE
= V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
50
2.5
μ
A
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
CE90
, V
GE
= 15
3.0
2.8
3.4
V
V
T
J
= 125
°
C
98922 (5/02)
Features
International standard packages
JEDEC TO-220AB and TO-263AA
Low switching losses, low V
(sat)
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
Easy to mount with one screw
Reduces assembly time and cost
High power density
G
E
C (TAB)
TO-263 AA (IXSA)
GCE
TO-220AB (IXSP)
Advance Technical Information
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
=1200
= 30
= 3.4 V
V
A
IXSA 15N120B
IXSP 15N120B
HIGH Voltage IGBT
"S" Series - Improved SCSOA Capability
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
1200
V
1200
V
Continuous
±
20
±
30
V
Transient
V
T
C
= 25
°
C
T
C
= 90
°
C
T
C
= 25
°
C, 1 ms
30
A
15
A
60
A
V
GE
= 15 V, T
J
= 125
°
C, R
G
= 10
Clamped inductive load
I
CM
= 40
@ 0.8 V
CES
A
t
SC
T
J
= 125
°
C, V
GE
= 720 V; V
GE
= 15 V, R
G
= 10
Non repetitive
10
μ
s
P
C
T
J
T
JM
T
stg
M
d
T
C
= 25
°
C
150
W
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Mounting torque
(TO-247)
1.13/10 Nm/lb.in.
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
Maximum tab temperature for soldering (TO-263)
260
°
C
Weight
TO-220
TO-263
4
2
g
g
C (TAB)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTA2N80 N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻6.2Ω的N溝道增強(qiáng)型高電壓MOSFET)
IXTA36N30P PolarHT Power MOSFET
IXTP36N30P PolarHT Power MOSFET
IXTQ36N30P PolarHT Power MOSFET
IXTC75N10 N-Channel Enhancement Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSP16N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSP20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP24N60B 功能描述:IGBT 晶體管 48 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP2N100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 3A I(C) | TO-220AB
IXSP2N100A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 3A I(C) | TO-220AB
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