參數(shù)資料
型號： IXTC75N10
廠商： IXYS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode
中文描述： 72 A, 100 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ISOPLUS220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： IXTC75N10
2002 IXYS All rights reserved
G = Gate,
S = Source
D = Drain,
* Patent pending
98881 (1/2)
G
D
S
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
ISOPLUS 220
TM
Isolated back surface*
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GS
= 1 M
100
V
100
V
Continuous
±
20
±
30
V
Transient
V
T
C
= 25
°
C
T
C
= 25
°
C, pulse width limited by T
JM
T
C
= 25
°
C
72
A
300
A
230
W
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Mounting torque
1.13/10
Nm/lb.in.
2
g
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
MegaMOS
TM
FET
N-Channel Enhancement Mode
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
V
DSS
V
GS(th)
V
GS
= 0 V, I
D
= 250
μ
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
100
V
2
4
V
I
GSS
V
GS
=
±
20 V
DC
, V
DS
= 0
±
100
nA
I
DSS
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
200
μ
A
mA
1
R
DS(on)
V
GS
= 10 V, I
D
= I
T
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle d
≤
2 %
0.020
Features
International standard packages
Low R
DS (on)
HDMOS
TM
process
Rugged polysilicon gate cell structure
Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
Fast switching times
Applications
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Motor controls
Uninterruptible
Power Supplies (UPS)
DC choppers
Advantages
Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
Space savings
High power density
IXTC 75N10
V
DSS
I
D25
R
DS(on)
= 20 m
= 100 V
= 72 A
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PDF描述
IXTQ110N10P N-Channel Enhancement Mode
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參數(shù)描述
IXTD5N100A 功能描述:MOSFET 5 Amps 1000V 2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTE250N10 功能描述:MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTF02N450 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAK
IXTF03N400 功能描述:MOSFET HI VOLTAGE MOSFET N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXTF1N400 功能描述:MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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