參數(shù)資料
型號： IXGR32N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(Lightspeed系列，VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： IXGR32N60C
1 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C110
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25 C to 150 C
T
J
= 25 C to 150 C; R
GE
= 1 M
Continuous
Transient
600
600
V
V
20
30
V
V
T
C
= 25 C
T
C
= 110 C
T
C
= 25 C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125 C, R
= 10
Clamped inductive load, L = 100 H
45
26
A
A
A
120
I
= 64
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
J
T
JM
T
stg
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
T
C
= 25 C
140
W
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
300
C
V
ISOL
Weight
50/60 Hz, RMS, t = 1minute leads-to-tab
2500
V
6
g
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
I
C
= 250 A, V
GE
= 0 V
600
V
V
GE(th)
I
C
= 250 A, V
CE
= V
GE
2.5
5
V
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
200
A
1
mA
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V (see note 1)
2.1
2.5
V
98651A (7/00)
IXGR 32N60C
V
CE
I
C25
V
CE(sat)typ
= 2.1 V
t
fi
typ
= 55 ns
= 600 V
= 45 A
HiPerFAST
TM
IGBT
Lightspeed Series
ISOPLUS247
TM
package
(Electrically Isolated Back Side)
G = Gate,
E = Emitter
C = Collector,
*
Patent pending
ISOPLUS 247
TM
E153432
GCE
Isolated Backside*
Features
DCB Isolated mounting tab
Meets TO-247AD package Outline
High current handling capability
Latest generation HDMOS
TM
process
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Advantages
Easy assembly
High power density
Very fast switching speeds for high
frequency applications
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR39N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.8V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXKC13N80C CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220
IXSA15N120B S Series - Improved SCSOA Capability
IXSP15N120B S Series - Improved SCSOA Capability
IXTA2N80 N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導通電阻6.2Ω的N溝道增強型高電壓MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGR32N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 DISCRETE IGBT 600V 45 AMP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR32N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 47 Amps 900V 2.9 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR35N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 23 Amps 1200V 3.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR35N120C 功能描述:IGBT 70A 1200V ISOPLUS247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:HiPerFAST™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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