參數(shù)資料
型號： IXGR32N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(Lightspeed系列，VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 100K
代理商： IXGR32N60C
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
25
S
C
ies
C
oes
C
res
2700
190
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
50
Q
g
Q
ge
Q
gc
110
22
40
nC
nC
nC
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
25
20
85
55
ns
ns
ns
ns
mJ
0.32
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
25
25
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.30
110
105
0.85
170
160
1.25
R
thJC
R
thCK
0.90 K/W
0.15
K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
C
= I
, V
= 15 V, L = 100 H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 4.7
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 150 C
I
C
= I
T
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 4.7
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
IXGR 32N60C
Note 1:
I
T
= 32A
ISOPLUS 247 (IXGR) OUTLINE
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
S
13.21
T
15.75
U
1.65
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
.520 .540
.620 .640
.065 .080
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
13.72
16.26
3.03
1 Gate, 2 Drain (Collector)
3 Source (Emitter)
4 no connection
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGR39N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.8V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXKC13N80C CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220
IXSA15N120B S Series - Improved SCSOA Capability
IXSP15N120B S Series - Improved SCSOA Capability
IXTA2N80 N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓800V,導(dǎo)通電阻6.2Ω的N溝道增強(qiáng)型高電壓MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGR32N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 DISCRETE IGBT 600V 45 AMP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR32N90B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 47 Amps 900V 2.9 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR35N120BD1 功能描述:IGBT 晶體管 23 Amps 1200V 3.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGR35N120C 功能描述:IGBT 70A 1200V ISOPLUS247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:HiPerFAST™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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