參數(shù)資料
型號： IXGP12N60U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT with Diode Combi Pack
中文描述： 24 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
文件頁數(shù)： 4/6頁
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代理商： IXGP12N60U1
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGP12N60U1
Pulse Width - Seconds
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
T
0.01
0.10
1.00
D=0.1
D=0.2
I
C
= 10A
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.01
0.1
1
10
100
V
CE
- Volts
0
5
10
15
20
25
C
0
100
200
300
400
500
600
700
800
C
res
C
oes
I
G
= 10mA
V
CE
=
480V
T
J
= 125°C
dV/dt < 3V/ns
Single Pulse
Total Gate Charge - (nC)
Fig.9 Capacitance Curves
0
10
20
30
40
50
V
G
1
3
5
7
9
11
13
15
C
ies
f = 1MHz
D=0.05
D=0.02
D=0.01
D=0.5
Fig.7 Gate Charge
Fig.8 Turn-Off Safe Operating Area
Fig.10 Transient Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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