參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH6N170A
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： High Voltage IGBT
中文描述： 6 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 61K
代理商： IXGH6N170A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
Dim.
Millimeter
Min.
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
Inches
Min.
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205 0.225
.780
Max.
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
Max.
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
.800
.177
.144
3.55
5.89
4.32
6.15 BSC
.140
0.232 0.252
.170
242 BSC
.216
e
P
TO-247 AD Outline
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Note 2
= I
C25
; V
CE
= 20 V
2
3.5
S
C
ies
C
oes
C
res
330
23
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
6
Q
G
Q
GE
Q
GC
20
3.6
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
8
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
46
40
220
32
0.19
ns
ns
ns
ns
mJ
450
65
0.40
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
48
43
0.7
230
41
0.26
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
R
thJC
R
thCK
1.65 K/W
(TO-247)
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C25
, V
GE
= 15 V
R
G
= 33
,
V
CE
= 0.5 V
CES
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
C25
, V
GE
= 15 V
R
G
= 33
,
V
CE
= 0.5 V
CES
IXGH 6N170A
IXGT 6N170A
TO-268 Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.9
2.7
.02
1.15
1.9
.4
13.80
15.85
13.3
e 5.45 BSC .215 BSC
H
18.70
19.10
L
2.40
2.70
L1
1.20
1.40
Inches
Min.
.193
.106
.001
.045
.75
.016
.543
.624
.524
Max.
5.1
2.9
.25
1.45
2.1
.65
14.00
16.05
13.6
Max.
.201
.114
.010
.057
.83
.026
.551
.632
.535
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
.736
.094
.047
.752
.106
.055
L2
L3 0.25 BSC .010 BSC
L4
3.80
4.10
1.00
1.15
.039
.045
.150
.161
Notes:1.
Device must be heatsunk for high temperature leakage current
measurements to avoid thermal runaway.
2.
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGT6N170A High Voltage IGBT
IXGP12N60U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode Combi Pack
IXGR32N60C Lightspeed Series HiPerFAST IGBT(Lightspeed系列，VCES為600V，VCE(sat)為2.1V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXGR39N60B HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.8V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
IXKC13N80C CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH6N170A_09 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBTs
IXGH72N60A3 功能描述:IGBT 晶體管 72 Amps 600V 1.35 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH72N60B3 功能描述:IGBT 晶體管 72 Amps 600V 1.7 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH72N60C3 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 72A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH85N30C3 功能描述:IGBT 晶體管 85 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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