參數(shù)資料
型號： IRS21853SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: TSOPII (44); Status:   Remarks:  
中文描述： 雙通道高側(cè)驅(qū)動(dòng)IC
文件頁數(shù)： 5/17頁
文件大?。?/td> 188K
代理商： IRS21853SPBF
IRS21853SPBF
5
Dynamic Electrical Characteristics (All values are target data)
(V
CC
-COM)= (V
B1,2
-V
S1,2
)=15 V. T
A
= 25
o
C unless otherwise specified. C
L
= 1000 pF unless otherwise specified. All
parameters are reference to COM.
Symbol
Definition
Min
t
on
Turn-on propagation delay (HO1,2)
---
Typ
Max
Units
Test Conditions
170
---
(V
s1,2
-COM)=0 V
t
off
Turn-off propagation delay (HO1,2)
---
170
---
(V
s1,2
-COM)=600 V
t
r
Turn-on rise time
---
15
50
t
f
Turn-off fall time
---
15
50
MT
Delay matching (Note 1)
---
---
40
ns
Note 4:Max(t
on
,
HO1
, t
on,HO2
)- Min(t
on,HO1
, t
on,HO2
); Max(t
off,HO1
, t
off,HO2
)- Min(t
off,HO1
, t
off,HO2
)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRS21858SPBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Hig Dual Side DRVR 600V 290mA 160ns RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IRS21858STRPBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Hi&Lw Sd Dual Drvr IC RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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