參數(shù)資料
型號(hào): IRS21853SPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: TSOPII (44); Status:   Remarks:  
中文描述: 雙通道高側(cè)驅(qū)動(dòng)IC
文件頁(yè)數(shù): 13/17頁(yè)
文件大?。?/td> 188K
代理商: IRS21853SPBF
IRS21853SPBF
13
0
2
4
6
8
10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (
o
C)
L
Figure 15A. Logic "0" Input Current
vs. Temperature
Max.
0
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4
6
8
10
10
12
14
16
18
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V
cc
Supply Voltage (V)
L
Figure 15B. Logic "0" Input Current
vs. Supply Voltage
Max.
6
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8
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10
11
12
-50
-25
0
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Temperature (
o
C)
V
c
Figure 16. V
cc
Undervoltage Threshold (+)
vs. Temperature
Max.
Typ.
Min.
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7
8
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0
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Temperature (
o
C)
V
c
Figure 17. V
cc
Undervoltage Threshold (-)
vs. Temperature
Max
Typ.
Min.
6
7
8
9
10
11
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (
o
C)
V
B
Figure 18. V
BS
Undervoltage Threshold (+)
Max.
Typ.
Min.
6
7
8
9
10
11
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (
o
C)
V
B
Figure 19. V
BS
Undervoltage Threshold (-)
vs. Temperature
Max
Typ.
Min.
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PDF描述
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IRS21858SPBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Hig Dual Side DRVR 600V 290mA 160ns RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IRS21858STRPBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Hi&Lw Sd Dual Drvr IC RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube