參數(shù)資料
型號： IRS21853SPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Asynchronous SRAM; Organization (word): 256K; Organization (bit): x 16; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 3.0 to 3.6; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: TSOPII (44); Status:   Remarks:  
中文描述： 雙通道高側(cè)驅(qū)動(dòng)IC
文件頁數(shù)： 11/17頁
文件大小： 188K
代理商： IRS21853SPBF
IRS21853SPBF
11
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (
o
C)
H
Figure 9A. High Level Output
vs. Temperature
Max.
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
10
12
14
16
18
20
V
cc
Supply Voltage (V)
H
Figure 9B. High Level Output
vs. Supply Voltage
Max.
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (
o
C)
L
Figure 10A. Low Level Output
vs.Temperature
Max.
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
10
12
14
16
18
20
V
cc
Supply Voltage (V)
L
Figure 10B. Low Level Output
vs. Supply Voltage
Max.
0
100
200
300
400
500
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (
o
C)
O
Max.
Figure 11A. Offset Supply Leakage Current
vs. Temperature
0
100
200
300
400
500
0
100
200
300
400
500
600
V
B
Boost Voltage (V)
O
Max.
Figure 11B. Offset Supply Leakage
Current vs. Supply Voltage
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PDF描述
IRS21952SPBF HIGH SIDE & DUAL LOW SIDE DRIVER IC
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IRS21858SPBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Hig Dual Side DRVR 600V 290mA 160ns RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IRS21858STRPBF 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC Hi&Lw Sd Dual Drvr IC RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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