參數(shù)資料
型號(hào)： IRGB4060DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
文件大?。?/td> 301K
代理商： IRGB4060DPBF
IRGB4060DPbF
www.irf.com
9
Fig. WF1
- Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
= 175°C using Fig. CT.4
Fig. WF2
- Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
= 175°C using Fig. CT.4
WF.3- Typ. Reverse Recovery Waveform
@ T
J
= 175°C using CT.4
WF.4- Typ. Short Circuit Waveform
@ T
J
= 25°C using CT.3
-100
0
100
200
300
400
500
-0.40
0.10
0.60
1.10
Time(μs)
V
C
-5
0
5
10
15
20
25
E
OFF
Loss
5% V
CE
5% I
CE
90% I
CE
tf
-100
0
100
200
300
400
500
11.70
11.90
12.10
Time (μs)
V
C
-5
0
5
10
15
20
25
E
ON
Loss
TEST
90% test
t
10% test current
5% V
CE
tr
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
-0.05
0.05
0.15
time (μS)
I
R
Peak
I
RR
Q
RR
t
RR
10%
Peak
I
RR
-100
0
100
200
300
400
500
-5.00
0.00
5.00
10.00
time (μS)
V
C
-20
0
20
40
60
80
100
I
C
V
CE
I
CE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4065PBF PDP TRENCH IGBT
IRGBC20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGBC20M-S Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGBC20M Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定快速絕緣柵型雙極型晶體管)
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參數(shù)描述
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IRGB4064DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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