參數(shù)資料
型號(hào)： IRGB4060DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 301K
代理商： IRGB4060DPBF
IRGB4060DPbF
www.irf.com
5
Fig. 13
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 175°C; L = 1mH; V
CE
= 400V, R
G
= 47
; V
GE
= 15V.
Fig. 15
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 175°C; L = 1mH; V
CE
= 400V, I
CE
= 8A; V
GE
= 15V
Fig. 14
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 175°C; L=1mH; V
CE
= 400V
R
G
= 47
; V
GE
= 15V
Fig. 16
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 175°C; L=1mH; V
CE
= 400V
I
CE
= 8A; V
GE
= 15V
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 175°C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 175°C; I
F
= 8.0A
0
5
10
15
20
IC (A)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
E
EOFF
EON
0
5
10
15
20
IC (A)
1
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
25
50
75
100
125
RG (
)
0
50
100
150
200
250
300
350
E
EON
EOFF
0
25
50
75
100
125
RG (
)
10
100
1000
S
tR
tF
tdOFF
tdON
0
5
10
15
20
IF (A)
0
5
10
15
20
25
30
IR
RG = 100
RG =10
RG =22
RG =47
0
25
50
75
100
125
RG (
)
0
5
10
15
20
25
IR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4065PBF PDP TRENCH IGBT
IRGBC20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGBC20M-S Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGBC20M Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGBC30K Aluminum Polymer SMT Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 4V; Case Size: 6.3x6 mm; Packaging: Tape & Reel
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參數(shù)描述
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IRGB4064DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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