參數(shù)資料
型號： IRGB4060DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 301K
代理商： IRGB4060DPBF
IRGB4060DPbF
4
www.irf.com
Fig. 9
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= -40°C
Fig. 7
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 175°C; tp = 80μs
Fig. 10
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 25°C
Fig. 8
- Typ. Diode Forward Characteristics
tp = 80μs
Fig. 12
- Typ. Transfer Characteristics
V
CE
= 50V; tp = 10μs
Fig. 11
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 175°C
0
2
4
6
8
VCE (V)
0
5
10
15
20
25
30
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
ICE = 16A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
ICE = 16A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 4.0A
ICE = 8.0A
ICE = 16A
0
5
10
15
VGE (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
IC
TJ = 25°C
TJ = 175°C
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
VF (V)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
IF
-40°C
25°C
175°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4065PBF PDP TRENCH IGBT
IRGBC20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGBC20M-S Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGBC20M Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGBC30K Aluminum Polymer SMT Capacitor; Capacitance: 100uF; Voltage: 4V; Case Size: 6.3x6 mm; Packaging: Tape & Reel
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參數(shù)描述
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IRGB4062DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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