參數(shù)資料
型號： IRGB20B60PD1PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： WARP2系列IGBT與超快軟恢復二極管
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大小： 363K
代理商： IRGB20B60PD1PBF
IRGB20B60PD1PbF
www.irf.com
7
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Fig. 24.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (DIODE)
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
1.779 0.000226
3.223 0.001883
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
Fig 23.
Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT)
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.0076
0.000001
0.2696
0.000270
0.1568
0.001386
0.1462
0.015586
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4055PbF PDP TRENCH 1GBT
IRGB4060DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4065PBF PDP TRENCH IGBT
IRGBC20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGBC20M-S Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
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參數(shù)描述
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IRGB4055PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 300V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 110A 3PIN TO-220AB - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 300V TO-220
IRGB4056DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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