參數(shù)資料
型號： IRGB20B60PD1PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： WARP2系列IGBT與超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 363K
代理商： IRGB20B60PD1PBF
IRGB20B60PD1PbF
4
www.irf.com
Fig. 8
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 25°C
Fig. 9
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 125°C
Fig. 12
- Typ. Switching Time vs. I
C
T
J
= 125°C; L = 200μH; V
CE
= 390V, R
G
= 10
; V
GE
= 15V.
Diode clamp used: 8ETH06 (See C.T.3)
Fig. 11
- Typ. Energy Loss vs. I
C
T
J
= 125°C; L = 200μH; V
CE
= 390V, R
G
= 10
; V
GE
= 15V.
Diode clamp used: 8ETH06 (See C.T.3)
Fig. 10
- Typ. Diode Forward Characteristics
tp = 80μs
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
IC
TJ = 25°C
TJ = 125°C
Fig. 7
- Typ. Transfer Characteristics
V
CE
= 50V; tp = 10μs
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VC
ICE = 20A
ICE = 13A
ICE = 8.0A
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VC
ICE = 20A
ICE = 13A
ICE = 8.0A
0
5
10
15
20
25
IC (A)
0
50
100
150
200
250
300
350
E
EOFF
EON
0
5
10
15
20
25
IC (A)
1
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0.1
1
10
100
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4055PbF PDP TRENCH 1GBT
IRGB4060DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4065PBF PDP TRENCH IGBT
IRGBC20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGBC20M-S Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGB30B60K 功能描述:IGBT 600V 78A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRGB30B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4045DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB4055PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 300V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 110A 3PIN TO-220AB - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 300V TO-220
IRGB4056DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*