參數(shù)資料
型號： IRGB20B60PD1PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： WARP2系列IGBT與超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 363K
代理商： IRGB20B60PD1PBF
IRGB20B60PD1PbF
www.irf.com
5
Fig. 14
- Typ. Switching Time vs. R
G
T
J
= 125°C; L = 200μH; V
CE
= 390V, I
CE
= 13A; V
GE
= 15V
Diode clamp used: 8ETH06 (See C.T.3)
Fig. 13
- Typ. Energy Loss vs. R
G
T
J
= 125°C; L = 200μH; V
CE
= 390V, I
CE
= 13A; V
GE
= 15V
Diode clamp used: 8ETH06 (See C.T.3)
Fig. 16
- Typ. Capacitance vs. V
CE
V
GE
= 0V; f = 1MHz
Fig. 15
- Typ. Output Capacitance
Stored Energy vs. V
CE
Fig. 17
- Typical Gate Charge
vs. V
GE
I
CE
= 13A
0
5
10
15
20
25
30
35
RG (
)
50
100
150
200
250
E
EON
EOFF
0
10
20
30
40
RG (
)
1
10
100
1000
S
tR
tdOFF
tF
tdON
0
20
40
60
80
100
VCE (V)
10
100
1000
10000
C
Cies
Coes
Cres
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q G, Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VG
400V
0
100
200
300
400
500
600
700
VCE (V)
0
2
4
6
8
10
12
Eo
Fig. 18
- Normalized Typical V
CE(on)
vs.
Junction Temperature
I
CE
= 13A; V
GE
= 15V
-50
0
50
100
150
200
TJ, Junction Temperature (°C)
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4055PbF PDP TRENCH 1GBT
IRGB4060DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4065PBF PDP TRENCH IGBT
IRGBC20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGBC20M-S Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
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參數(shù)描述
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