參數(shù)資料
型號： IRG4PSH71UDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 250K
代理商： IRG4PSH71UDPBF
IRG4PSH71UDPbF
www.irf.com
7
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
100
200
300
400
tr
VR = 200V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IF = 140A
IF = 70A
IF = 35A
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
20
40
60
80
100
IR
VR = 200V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IF = 140A
IF = 70A
IF = 35A
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif / dt - (A / μs)
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
Qr
VR = 200V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IF = 140A
IF = 70A
IF = 35A
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
dif / dt - (A / μs)
100
500
900
1300
1700
d
VR = 200V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IF = 140A
IF = 70A
IF = 35A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4RC10KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRGB20B60PD1PBF WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4055PbF PDP TRENCH 1GBT
IRGB4060DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4065PBF PDP TRENCH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PSH71UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 8-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4RC10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10K 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4RC10KD 功能描述:DIODE IGBT 600V 9.0A D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4RC10KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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