參數(shù)資料
型號： IRG4PSH71UDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 250K
代理商： IRG4PSH71UDPBF
IRG4PSH71UDPbF
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Collector-to-Emitter Voltage vs.
Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VC
IC = 140A
VGE = 15V
380μs PULSE WIDTH
IC = 70A
IC = 35A
25
50
75
100
125
150
TJ , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
M
V GE = 15V
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
0.20
0.10
0.05
D = 0.50
0.02
0.01
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
0.253 0.009159
0.1057 0.038041
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci= i
/
Ri
Ci=
i
/
Ri
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4RC10KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRGB20B60PD1PBF WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4055PbF PDP TRENCH 1GBT
IRGB4060DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4065PBF PDP TRENCH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4RC10KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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