參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4BC20MD-S
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大小： 345K
代理商： IRG4BC20MD-S
IRG4BC20MD-SPbF
4
www.irf.com
Fig. 5 - Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4 - Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 6 - Maximum IGBT Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
T , Case Temperature ( C)
Ma
xi
mu
m
DC
Co
lle
ct
or
Cu
rr
en
t(
A
)
C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
TJ , Junction Temperature (°C)
1.0
2.0
3.0
4.0
V
C
E
,C
ol
le
ct
or
-t
o
E
m
itt
er
V
ol
ta
ge
(V
)
IC = 22A
VGE = 15V
80s PULSE WIDTH
IC = 11A
IC = 5.5A
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
1
2
J
DM
thJC
C
P
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
her
m
al
R
esponse
(
Z
)
1
thJC
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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PDF描述
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